梅州股票配资:什么地方可以股票开户-“近一个月涨了50%！” 原厂停产引发备货潮 部分存储产品猛涨价

　　部分存储产品传来了涨价的消息。“这段时间有的涨了100%，有的一个月内涨了50% ，这个月涨幅非常大 。
”深圳一家头部存储模组厂商的销售负责人张丽（化名）告诉第一财经记者
，一些DRAM产品近期出现涨价，主要是DDR4和DDR3在涨 ，背后的驱动因素不是需求增长
，而是原厂停产
。

　　DRAM即动态随机存取存储器，是目前两种最主要的存储颗粒之一 ，DDR4和DDR3分别是第四和第三代双倍数据速率SDRAM。市场研究机构的数据也显示
，近期DDR4价格涨势尤其迅猛 。

　　频频涨价

　　据闪存市场数据，在截至5月27日的一周内 ，多款DDR4产品环比价格上涨
，其中DDR4 16Gb 3200
、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT价格分别环比上涨3.95% 、15%
、10%
。TrendForce集邦咨询本月23日、25日 、27日
、28日和29日发布的市场动态中，也显示多种DDR4颗粒现货价格出现上涨 ，29日DDR4 8Gb 3200涨幅为4%。

　　“深圳市场表现火热，买家问价动作较多
，部分DDR4价格持续拉升，目标价格也有所提高 ，但仍难以跟上报价 。” TrendForce集邦咨询在29日的市场动态报告中称
。

　　“上周（采购时）我报你4元
，你问3.8元行不行。这周再来问价，我说现在4.5元了 ，你又问能不能按上周报的4元
，我说不好意思，马上变成4.8元了 。就是按这个节奏涨的
。 ”张丽向记者形容。

　　涨价背后 ，今年2月
，有消息称美光、三星和SK海力士可能在今年年底前停止生产DDR3和DDR4内存 。4月，有消息称三星通知了PC制造商 ，将在今年年底前停产DDR4
，最后订购日期定在6月。

　　三星并未回应市场消息并证实DDR4停产，但市场上已出现连锁反应
。TrendForce集邦咨询称 ，三星 、美光DDR3
、DDR4停产传闻引发DRAM市场连锁反应，出现备货潮。“三星、SK海力士和美光针对PC及服务器的DDR4和LPDDR4产品陆续发布了EOL（终止生产）通知
，最后发货时间预计在2026年第一季度至第二季度 。
”TrendForce集邦咨询分析师许家源告诉记者，原厂宣布EOL后 ，买方纷纷抢购补充库存
，使4月至5月的颗粒现货市场供给紧张，价格大幅上涨
。

　　闪存市场称 ，在原厂停产部分DDR4 、减产LPDDR4X的持续影响下
，引发的涨价效应蔓延至渠道成品，较低价的DDR5资源在渠道市场也愈发难觅 ，使本周渠道DDR5内存条也调涨价格。

　　不只DDR4在涨价
，另一大类存储颗粒中，NAND Flash（一种主要的闪存颗粒）也有部分产品在涨价 。张丽告诉记者 ，涨价最多的是容量32Gb及32Gb以下的MLC NAND Flash
，这类产品主要用于智能家居
、电视、工业自动化设备 、智能穿戴产品等，三星占了这类产品较大的市场份额
。据她所知 ，也是因为原厂发了停产通知，导致MLC NAND Flash市场供应减少
，因此近期才会出现涨价。

　　近日有消息称，三星提前停产MLC NAND Flash ，通知只供应至6月
，并希望通过涨价使客户知难而退，市场则对三星停供导致供应短缺问题感到担忧 ，大力囤货 。三星在给记者的回应中未提及MLC NAND Flash停供一事是否真实
，而是表示，不对客户有关的事发表评论
。

　　原厂调整生产

　　涨价是局部现象 ，虽然业内预计存储行情已在逐步改善
，但市场还未因整体需求拔高而出现十分迅猛的整体涨价。

　　以NAND Flash为例，TrendForce集邦咨询29日发布的报告称 ，今年第一季度NAND Flash供应商在面对库存压力和终端客户需求下滑的情况下
，平均销售价格下降了15%，出货量环比减少7% ，该季度前五大NAND Flash品牌厂营收合计120.2亿美元，环比减少24% 。预计第二季度NAND Flash价格将出现触底反弹
，品牌厂商营收有望环比增加10%
。

　　从存储市场整体规模看，也有存储供应链从业者向记者表示 ，预计今年将比去年有所增长
，但幅度预计只有1%~2%。其背后，积极因素包括业内去库存后价格得到支撑、AI应用带来大容量存储需求 ，但整体终端需求还未强劲反弹 。

　　在这种情况下
，之所以部分存储颗粒涨价，是因为这些产品并非最新一代的高性能产品 ，而原厂面向AI带来的新需求
，正进行制程转换。

　　“现在DDR已经做到了DDR5，像三星
、海力士这些原厂大厂 ，它们已经打算将产能转到高性能的产品上
，例如HBM（高带宽内存，DRAM的一种） ，这部分（DDR3、DDR4）已经不是能带来高利润 、高毛利的业务了
。”张丽解释。

　　许家源也告诉记者，一些DDR4和LPDDR4将终止生产
，主要是因为PC及服务器应用已经逐步从DDR4转向DDR5，同时DDR4系列产品的价格和利润都较低 。

　　有消息称 ，三星停产DDR4后
，将把生产资源集中在DDR5和HBM上
。美光则在2025财年第二季度财报中提及销售HBM对毛利率的作用。美光称，该季度综合毛利率有所提高 ，原因就包括高利润的云产品特别是HBM的销售增加 。

　　MLC也不是NAND Flash最新的技术
。MLC即多层单元
，从MLC
、TLC（三级单元）到QLC（四级单元），NAND颗粒存储密度越来越高。记者了解到 ，今年以来
，包括长江存储、铠侠 、Solidigm在内，多家存储厂商已在极力推广QLC产品 ，推进产品迭代 。

　　面向AI时代调整产品结构的信号越来越明显
。目前
，高性能存储产品中，HBM已成为英伟达等高性能AI芯片的必备 ，采用QLC技术的NAND Flash也被认为适合运行AI应用的设备。有供应链厂商向记者解释，存储厂商着急推QLC背后
，是AI PC
、AI手机这些端侧设备需要存储密度增加 。

　　“原厂在产能资本支出上正在减少，同时存储技术朝更先进制程迁移
。 ” CFM闪存市场总经理邰炜今年早些时候表示 ，在供应端
，整体wafer（晶圆）产出相比以往的增量将明显减少，存储原厂的资本支出将更多投入更先进的封装技术或产品研发上 ，更侧重HBM、1c 、1γ和200层
、300层这些先进产能。

　　美光在最新财报中表示
，公司专注于在现有制造设备中增加HBM产能，以满足2026年的市场需求 。今年4月 ，美光进行了业务部门重组
，新成立了向超大规模云客户提供内存解决方案、为数据客户中心客户提供HBM的云内存业务部。美光称，此次重组的背景是高性能内存和存储在推动AI发展方面越来越重要
。

　　SK海力士也在加码布局HBM。去年第四季度HBM在SK海力士DRAM销售额中的占比超40% ，该公司预计今年该占比将提升至50%以上 。